Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (3)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Тягур Ю$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 5
Представлено документи з 1 до 5
1.

Тягур Ю. И. 
Исследования зависимостей электрического сопротивления от давления вблизи фазового перехода в сегнетоэлектрических кристаллах Sn2P2S6 [Електронний ресурс] / Ю. И. Тягур, И. Ю. Тягур // Физика и техника высоких давлений. - 2010. - Т. 20, № 3. - С. 56-69. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhTVD_2010_20_3_7
Исследованы зависимости электрического сопротивления R от давления p для кристаллов Sn2P2S6 при фиксированных температурах вблизи давления фазового перехода <$E p~symbol Ы~0,2> ГПа. Установлено, что в сегнето- и параэлектрической фазах зависимость R(p) уменьшается с увеличением давления. Из экспериментальных результатов методом аппроксимации найдены параметры уравнений. Получены зависимости относительного давленческого коэффициента электрического сопротивления <$E alpha sub T> от давления в сегнетоэлектрической фазе при трех различных фиксированных температурах для кристаллов Sn2P2S6 (314, 291 и 268 К) и Sn2P2Se6 (171, 145 и 120 К). Проведена оценка зависимости <$E mu (p)>.
Попередній перегляд:   Завантажити - 472.856 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
2.

Тягур Ю. 
Одержання і фізичні властивості п’єзокомпозитів на основі матеріалу Sn2Р2S6 [Електронний ресурс] / Ю. Тягур, М. Прокопова, Л. Буріанова, А. Копал, Л. Махонський, П. Гана // Науковий вісник Ужгородського університету. Сер. : Фізика. - 2002. - Вип. 11. - С. 126-135. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvuufiz_2002_11_21
Попередній перегляд:   Завантажити - 962.406 Kb    Зміст випуску     Цитування
3.

Тягур Ю. І. 
П’єзоелектричні властивості монокристалів Sn2P2S6 [Електронний ресурс] / Ю. І. Тягур // Науковий вісник Ужгородського університету. Сер. : Фізика. - 2005. - Вип. 18. - С. 62-75. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvuufiz_2005_18_11
Попередній перегляд:   Завантажити - 267.072 Kb    Зміст випуску     Цитування
4.

Тягур Ю. И. 
Зависимость электрического сопротивления от давления для сегнетоэлектрических кристаллов Sn2P2S6 [Електронний ресурс] / Ю. И. Тягур // Науковий вісник Ужгородського університету. Сер. : Фізика. - 2008. - Вип. 23. - С. 141-153. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvuufiz_2008_23_23
Попередній перегляд:   Завантажити - 260.981 Kb    Зміст випуску     Цитування
5.

Тягур Ю. І. 
Дослідження залежностей електричного опору від тиску кристалів Sn2P2S6 в діамантовій камері [Електронний ресурс] / Ю. І. Тягур, В. В. Щенніков // Науковий вісник Ужгородського університету. Сер. : Фізика. - 2009. - Вип. 25. - С. 79-87. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvuufiz_2009_25_12
Попередній перегляд:   Завантажити - 188.895 Kb    Зміст випуску     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського